通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 75V
\---|---
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250Mh~300Mhz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~300
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V
耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W
Description & Applications| Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish
描述与应用| 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT2222ALT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2222ALT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT2222ALT1和MMBT2222ALT1G的区别 |
MMBT2222LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT2222ALT1和MMBT2222LT1G的区别 |
MMBT2222ALT3G 安森美 | 类似代替 | MMBT2222ALT1和MMBT2222ALT3G的区别 |