ON SEMICONDUCTOR MUN5233DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
欧时:
SS SC88 BR XSTR NPN 50V
得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
立创商城:
双路 PNP 双极数字晶体管 BRT
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
富昌:
MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 硅 双 偏置电阻晶体管 SOT-363
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN5233DW1T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-363
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
封装 SC-70-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MUN5233DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5233DW1T1 安森美 | 类似代替 | MUN5233DW1T1G和MUN5233DW1T1的区别 |
PUMH13@115 恩智浦 | 类似代替 | MUN5233DW1T1G和PUMH13@115的区别 |
PUMH13,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5233DW1T1G和PUMH13,115的区别 |