MUN5233DW1T1G

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MUN5233DW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MUN5233DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


欧时:
SS SC88 BR XSTR NPN 50V


得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88


立创商城:
双路 PNP 双极数字晶体管 BRT


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


富昌:
MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 硅 双 偏置电阻晶体管 SOT-363


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5233DW1T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-363


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363


MUN5233DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5233DW1T1G
型号: MUN5233DW1T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUN5233DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363
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