偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN5113T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Ratio, SC-70
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5113T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5113T3G 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1G和MUN5113T3G的区别 |
MUN5114T1 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1G和MUN5114T1的区别 |
MUN5133T1 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1G和MUN5133T1的区别 |