MUN5133T1G

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MUN5133T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MUN5133T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SC-70 新

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


立创商城:
MUN5133T1G


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5133T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SC-70


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


MUN5133T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5133T1G
型号: MUN5133T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUN5133T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SC-70 新
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ON Semiconductor 安森美

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