NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBT5962系列 45 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5962 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 350 mW, 100 mA, 600 hFE
Win Source:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 600 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 600
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBT5962 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT5962和MMBT6429LT1G的区别 |
MMBT6429LT1 安森美 | 功能相似 | MMBT5962和MMBT6429LT1的区别 |