MUN5313DW1T1G

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MUN5313DW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 0.1A Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 80~140 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 |  NPN型山和PNP型硅表面和整体的偏见   电阻网络

MUN5313DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN, PNP

耗散功率 256 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 140

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MUN5313DW1T1G引脚图与封装图
MUN5313DW1T1G引脚图
MUN5313DW1T1G封装焊盘图
在线购买MUN5313DW1T1G
型号: MUN5313DW1T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88
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