MBD770DWT1G

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MBD770DWT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MBD770DWT1G  小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 100 mA, 1 V, 1 A, 150 °C 新

肖特基势垒,最大 900mA,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88


立创商城:
MBD770DWT1G


欧时:
### 肖特基势垒二极管,最大 900mA,ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


e络盟:
小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 100 mA, 1 V, 1 A, 150 °C


艾睿:
Diode RF Schottky 70V 380mW 6-Pin SC-88 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MBD770DWT1G, Dual SMT Schottky Diode, Isolated, 70V 100mA, 6-Pin SOT-363


安富利:
Diode Schottky 70V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 70V Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Diode Schottky 70V Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBD770DWT1G  Small Signal Schottky Diode, Dual Isolated, 70 V, 10 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C


Win Source:
DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363


MBD770DWT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 90.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

正向电压 1 V

耗散功率 120 mW

正向电流 100 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A

正向电压Max 1 V

正向电流Max 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MBD770DWT1G
型号: MBD770DWT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MBD770DWT1G  小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 100 mA, 1 V, 1 A, 150 °C 新
替代型号MBD770DWT1G
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