ON SEMICONDUCTOR MBD770DWT1G 小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 100 mA, 1 V, 1 A, 150 °C 新
肖特基势垒,最大 900mA,
### 标准
带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。
得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88
立创商城:
MBD770DWT1G
欧时:
### 肖特基势垒二极管,最大 900mA,ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor
e络盟:
小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 100 mA, 1 V, 1 A, 150 °C
艾睿:
Diode RF Schottky 70V 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MBD770DWT1G, Dual SMT Schottky Diode, Isolated, 70V 100mA, 6-Pin SOT-363
安富利:
Diode Schottky 70V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Diode Schottky 70V Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Diode Schottky 70V Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MBD770DWT1G Small Signal Schottky Diode, Dual Isolated, 70 V, 10 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
Win Source:
DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363
DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363
额定电压DC 70.0 V
额定电流 90.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
正向电压 1 V
耗散功率 120 mW
正向电流 100 mA
最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A
正向电压Max 1 V
正向电流Max 100 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MBD770DWT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBD770DWT1 安森美 | 类似代替 | MBD770DWT1G和MBD770DWT1的区别 |