MMBD352WT1 系列 7 V 10 uA 表面贴装 双 肖特基势垒二极管 - SC-70
- 射频 肖特基 - 1 对串联 7V 200 mW SC-70-3（SOT323）
得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW Dual
艾睿:
Switch from an AC voltage to a DC voltage using a Schottky diode MMBD352WT1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This rectifier has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a dual series configuration.
安富利:
Diode Schottky 7V 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Diode Schottky 7V Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBD352WT1G RF Schottky Diode, Barrier, Single Pair Series, 7 V, 10 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOT-323
DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-323
额定电压DC 7.00 V
额定电流 80.0 mA
电容 0.9 pF
无卤素状态 Halogen Free
正向电压 0.6 V
耗散功率 300 mW
正向电流 0.01 A
正向电压Max 600 mV
正向电流Max 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBD352WT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBD352WT1 安森美 | 类似代替 | MMBD352WT1G和MMBD352WT1的区别 |
BAV199W,115 恩智浦 | 功能相似 | MMBD352WT1G和BAV199W,115的区别 |
BAV199W 恩智浦 | 功能相似 | MMBD352WT1G和BAV199W的区别 |