MMSZ5230BT1G

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MMSZ5230BT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMSZ5230BT1G  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

齐纳 500mW,MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1G 系列,

表面安装外壳,SOD-123

### Zener Diodes, ON Semiconductor


得捷:
DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123


立创商城:
MMSZ5230BT1G


欧时:
### 齐纳二极管 500mW,MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1G 系列,ON Semiconductor表面安装外壳,SOD-123 ### Zener Diodes, ON Semiconductor


贸泽:
Zener Diodes 4.7V 500mW


艾睿:
Zener Diode Single 4.7V 5% 19Ohm 500mW 2-Pin SOD-123 T/R


Allied Electronics:
MMSZ5230BT1G Zener Diode; 4.7V 5% 0.5 WSMT 2-Pin SOD-123


安富利:
Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW Automotive 2-Pin SOD-123 T/R


TME:
Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel, tape; SOD123


Verical:
Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW Automotive 2-Pin SOD-123 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMSZ5230BT1G  Zener Single Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pins, 150 °C


Win Source:
DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123


MMSZ5230BT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.70 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

击穿电压 4.94 V

针脚数 2

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 4.7 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

精度 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123-2

外形尺寸

长度 2.69 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.12 mm

封装 SOD-123-2

物理参数

材质 Plastic

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMSZ5230BT1G引脚图与封装图
MMSZ5230BT1G引脚图
MMSZ5230BT1G封装焊盘图
在线购买MMSZ5230BT1G
型号: MMSZ5230BT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMSZ5230BT1G  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
替代型号MMSZ5230BT1G
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ON Semiconductor 安森美

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MMSZ5230BT1G和MMSZ5230BT1的区别

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