MMBD452LT1G

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MMBD452LT1G概述

双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 30V 225mW SOT-23-3 TO-236


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor, MMBD452LT1G


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MMBD452LT1G


e络盟:
二极管, 射频肖特基, 双系列, 30 V, 600 mV, 0.9 pF, SOT-23


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Diode RF Schottky 30V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R


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Win Source:
DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23


MMBD452LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

电容 0.9 pF

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 0.6 V

耗散功率 225 mW

正向电压Max 600 mV

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBD452LT1G引脚图与封装图
MMBD452LT1G引脚图
MMBD452LT1G封装图
MMBD452LT1G封装焊盘图
在线购买MMBD452LT1G
型号: MMBD452LT1G
描述:双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
替代型号MMBD452LT1G
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