FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTH81 晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 600MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. 描述与应用| PNP RF 这个装置是专为通用RF放大器和混频器应用到250 MHz的集电极电流范围在1.0 MA到30 mA。
频率 600 MHz
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -50.0 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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