MMBTH81

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MMBTH81概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH81  晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 600MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. 描述与应用| PNP RF 这个装置是专为通用RF放大器和混频器应用到250 MHz的集电极电流范围在1.0 MA到30 mA。

MMBTH81中文资料参数规格
技术参数

频率 600 MHz

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -50.0 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTH81
型号: MMBTH81
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH81  晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFE
替代型号MMBTH81
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