



















FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5550 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 50 MHz, 225 mW, 600 mA, 60 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 140V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 50Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 60~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV~250mV 耗散功率PcPower Dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 描述与应用 | NPN通用放大器 •本设备是专为通用高电压放大器 和气体放电的显示驱动程序。
频率 50 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 140 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5550 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KST5550MTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBT5550和KST5550MTF的区别 |
MMBT5550LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT5550和MMBT5550LT1G的区别 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT5550和MMBT6429LT1G的区别 |