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NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~360 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 描述与应用| 这个装置是专为通用放大器和开关。 有用的动态范围扩展到100毫安作为开关 作为一个放大器100兆赫。