MMBD701LT1G

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MMBD701LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBD701LT1G.  肖特基二极管

射频肖特基,On Semiconductor

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
### 射频肖特基二极管,On Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


立创商城:
70 V,肖特基二极管


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DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3


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肖特基二极管与整流器 70V 200mW Dual Common Anode


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ON SEMICONDUCTOR  MMBD701LT1G.  肖特基二极管


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Diode RF Schottky 70V 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


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ON Semi MMBD701LT1G; SMT Schottky Diode; 70V 10mA DC; 3-Pin SOT-23


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Diode RF Schottky 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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Diode: Schottky rectifying; 70V; 10mA; SOT23


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Diode Schottky 70V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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# ON SEMICONDUCTOR  MMBD701LT1G  RF Schottky Diode, Barrier, Single, 70 V, 1 V, 0.5 pF, SOT-23


Online Components:
Diode Schottky 70V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 200MW 70V SOT23


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY 200MW 70V SOT23


MMBD701LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 100 mA

电容 0.5 pF

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤100 mA

负载电流 0.01 A

正向电压 0.42 V

极性 Standard

耗散功率 200 mW

正向电流 10 mA

正向电压Max 1 V

正向电流Max 10 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBD701LT1G引脚图与封装图
MMBD701LT1G引脚图
MMBD701LT1G封装焊盘图
在线购买MMBD701LT1G
型号: MMBD701LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBD701LT1G.  肖特基二极管
替代型号MMBD701LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBD701LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBD701LT3G

安森美

完全替代

MMBD701LT1G和MMBD701LT3G的区别

MMBD701LT1

安森美

类似代替

MMBD701LT1G和MMBD701LT1的区别

BAS70,215

恩智浦

功能相似

MMBD701LT1G和BAS70,215的区别

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