高电压晶体管 High Voltage Transistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| High Voltage Transistors NPN Silicon Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 描述与应用| 高电压 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
集电极击穿电压 300 V min
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA42LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA42LT3 安森美 | 完全替代 | MMBTA42LT1和MMBTA42LT3的区别 |