MMST4403-TP

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MMST4403-TP概述

MMST4403-TP 编带

This specially engineered PNP GP BJT from comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MMST4403-TP中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: MMST4403-TP
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