










MMBTA63 PNP三极管 -30V -1.2A 125MHz 10000 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2U
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 10000 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. 描述与应用| PNP达林顿 该设备是专为要求极高的电流为800毫安的电流增益的应用而设计。
频率 125 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.20 A
额定功率 350 mW
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA63 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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