MMBTH10LT1G

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MMBTH10LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 射频双极晶体管,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


得捷:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3


立创商城:
NPN Bipolar Transistor


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.004 A, 25 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 25V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE


Win Source:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23


DeviceMart:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23


MMBTH10LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 650 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 4.00 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, 工业, 射频通信, RF Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTH10LT1G引脚图与封装图
MMBTH10LT1G引脚图
MMBTH10LT1G封装焊盘图
在线购买MMBTH10LT1G
型号: MMBTH10LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
替代型号MMBTH10LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTH10LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBTH10

安森美

完全替代

MMBTH10LT1G和MMBTH10的区别

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