ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
射频双极,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
### 射频双极晶体管,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
得捷:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
立创商城:
NPN Bipolar Transistor
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.004 A, 25 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 25V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
Win Source:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
DeviceMart:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
频率 650 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 4.00 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业, 射频通信, RF Communications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTH10LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTH10 安森美 | 完全替代 | MMBTH10LT1G和MMBTH10的区别 |
MMBTH10LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBTH10LT1G和MMBTH10LT3G的区别 |
MMBTH10LT1 安森美 | 类似代替 | MMBTH10LT1G和MMBTH10LT1的区别 |