MUN5330DW1T1G

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MUN5330DW1T1G概述

NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

双 NPN/PNP ,On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备


得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88


欧时:
ON Semiconductor MUN5330DW1T1G, 双 NPN + PNP 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:3, 10 kHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MUN5330DW1T1G Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 50V; 6-Pin SOT-363


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363


MUN5330DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN, PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 3 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5330DW1T1G
型号: MUN5330DW1T1G
描述:NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor 每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号MUN5330DW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN5330DW1T1G

ON Semiconductor 安森美

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