MUN5212T1G

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MUN5212T1G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3


立创商城:
MUN5212T1G


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3


MUN5212T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5212T1G
型号: MUN5212T1G
描述:偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
替代型号MUN5212T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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