偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
立创商城:
MUN5212T1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MUN5212T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTC124EU,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5212T1G和PDTC124EU,115的区别 |
FJV3103RMTF 飞兆/仙童 | 功能相似 | MUN5212T1G和FJV3103RMTF的区别 |
MUN5212T1 安森美 | 功能相似 | MUN5212T1G和MUN5212T1的区别 |