MMBD355LT1G

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MMBD355LT1G概述

On SemiconductorRF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor

**RF Band Switching Diodes, **

RF Radio Frequency diodes suitable for use in HF, RF and Microwave mixing and detection applications.


得捷:
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3


欧时:
### 射频段开关二极管,On SemiconductorRF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.### 二极管和整流器,ON Semiconductor


艾睿:
If your circuit needs to adjust from an AC to DC voltage use a switching diode MMBD355LT1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This rectifier has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a dual series configuration.


Allied Electronics:
ON Semi MMBD355LT1G, Dual SMT SwitchingDiode, Common Anode, 3-Pin SOT-23


安富利:
Diode Switching 7V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL CA 7V SOT-23


MMBD355LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 80.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 0.6 V

耗散功率 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBD355LT1G
型号: MMBD355LT1G
描述:On Semiconductor RF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。 ### 标准 带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。 ### 二极管和整流器,ON Semiconductor
替代型号MMBD355LT1G
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