ON SEMICONDUCTOR MMBD352LT1G. 肖特基整流器
射频段开关,On Semiconductor
RF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。
### 标准
带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。
欧时:
### 射频段开关二极管,On SemiconductorRF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor
立创商城:
7.0 V 肖特基二极管,双,串联,UHF
得捷:
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
e络盟:
肖特基整流器
艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a switching diode MMBD352LT1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual series configuration. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
DIODE, MIXER; 10MA IF; 300 MW @ 25C; 556C/W MAX.; 1 PF MAX.; SOT-23
Chip1Stop:
Diode Switching Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBD352LT1G RF Schottky Diode, Dual Series, 7 V, 600 mV, 1 pF, SOT-23
Win Source:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23
DeviceMart:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23
额定电压DC 7.00 V
额定电流 10.0 A
电容 1 pF
无卤素状态 Halogen Free
正向电压 0.6 V
耗散功率 225 mW
热阻 556 ℃/W
正向电流 10 mA
正向电压Max 600 mV
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 225 mW
额定电压 35 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBD352LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBD352LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBD352LT1G和MMBD352LT3G的区别 |
MMBD352LT1 安森美 | 类似代替 | MMBD352LT1G和MMBD352LT1的区别 |
MMBD352LT3 安森美 | 功能相似 | MMBD352LT1G和MMBD352LT3的区别 |