MMBD352LT1G

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MMBD352LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBD352LT1G.  肖特基整流器

射频段开关,On Semiconductor

RF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
### 射频段开关二极管,On SemiconductorRF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


立创商城:
7.0 V 肖特基二极管,双,串联,UHF


得捷:
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3


e络盟:
肖特基整流器


艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a switching diode MMBD352LT1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual series configuration. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
DIODE, MIXER; 10MA IF; 300 MW @ 25C; 556C/W MAX.; 1 PF MAX.; SOT-23


Chip1Stop:
Diode Switching Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBD352LT1G  RF Schottky Diode, Dual Series, 7 V, 600 mV, 1 pF, SOT-23


Win Source:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23


DeviceMart:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23


MMBD352LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 10.0 A

电容 1 pF

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 0.6 V

耗散功率 225 mW

热阻 556 ℃/W

正向电流 10 mA

正向电压Max 600 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 225 mW

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBD352LT1G
型号: MMBD352LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBD352LT1G.  肖特基整流器
替代型号MMBD352LT1G
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