MMBD352LT1 肖特基二极管 7V 10mA 600mV/0.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 M5G 低压降
反向电压VrReverse Voltage| 7V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 10mA 最大正向压降VFForward VoltageVf | 600mV/0.6V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Dual Hot Carrier Mixer Diodes • Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF Zero V • Low Forward Voltage − 0.5 V Typ IF = 10 mA • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 双机热载波混频器 •非常低的电容 - 小于1.0 pF的零V •低正向电压 - 0.5 V（典型）IF= 10毫安 •无铅包可用
额定电压DC 7.00 V
额定电流 80.0 mA
电容 1.00 pF
正向电压 600 mV
耗散功率 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBD352LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBD352LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBD352LT1和MMBD352LT1G的区别 |
MMBD352LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBD352LT1和MMBD352LT3G的区别 |