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MBD101概述

硅肖特基势垒二极管 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

RF Diode Schottky - Single 7V 280 mW TO-92

得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92

贸泽:
肖特基二极管与整流器 7V 225mW

MBD101中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 90.0 mA

输出电流 ≤70.0 mA

极性 Standard

耗散功率 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-2

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-2

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MBD101

型号： MBD101

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：硅肖特基势垒二极管 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

替代型号MBD101

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MBD101

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MBD301

安森美

功能相似

MBD101和MBD301的区别