MBD101G

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MBD101G概述

肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes

RF Diode Schottky - Single 7V 280mW TO-92


得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW


艾睿:
RF Schottky Barrier Diodes


Chip1Stop:
Diode Schottky 7V 2-Pin TO-92 Bulk


MBD101G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 90.0 mA

输出电流 ≤70.0 mA

正向电压 600 mV

极性 Standard

耗散功率 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-226-2

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-2

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBD101G
型号: MBD101G
描述:肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes
替代型号MBD101G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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