MMBD701LT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBD701LT3G概述

硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

RF Diode Schottky - Single 70V 200mW SOT-23-3 TO-236

得捷:
DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3

艾睿:
Diode RF Schottky 70V 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Diode Schottky 70V 3-Pin SOT-23 T/R

MMBD701LT3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 100 mA

输出电流 ≤100 mA

极性 Standard

耗散功率 200 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBD701LT3G

型号： MMBD701LT3G

描述：硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

替代型号MMBD701LT3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBD701LT3G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBD701LT1G 安森美	完全替代	MMBD701LT3G和MMBD701LT1G的区别
MMBD701LT1 安森美	完全替代	MMBD701LT3G和MMBD701LT1的区别
MMBD701LT3 安森美	功能相似	MMBD701LT3G和MMBD701LT3的区别