通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorPNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistor Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 特点 •无铅包可用
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT3906LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT3904LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT3906LT1和MMBT3904LT1G的区别 |
MMBT3906LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBT3906LT1和MMBT3906LT3G的区别 |
BSR17A 安森美 | 类似代替 | MMBT3906LT1和BSR17A的区别 |