MBD110DWT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBD110DWT1G概述

双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

RF Diode Schottky - 2 Independent 7V 120mW SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

贸泽:
肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual Isolated

艾睿:
Diode Schottky 7V 6-Pin SC-88 T/R

MBD110DWT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 90.0 mA

耗散功率 120 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBD110DWT1G

型号： MBD110DWT1G

描述：双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

替代型号MBD110DWT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MBD110DWT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBD330DWT1G 安森美	功能相似	MBD110DWT1G和MBD330DWT1G的区别
MBD330DWT1 安森美	功能相似	MBD110DWT1G和MBD330DWT1的区别
MBD110DWT1 安森美	功能相似	MBD110DWT1G和MBD110DWT1的区别