MT3S20TUTE85L参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT3S20TUTE85L概述

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3Pin UFM T/R

RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 900mW Surface Mount UFM

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM

MT3S20TUTE85L中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V

额定功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT3S20TUTE85L

型号： MT3S20TUTE85L

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3Pin UFM T/R