ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
射频双极，
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 650 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTH10LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTH10LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBTH10LT3G和MMBTH10LT1G的区别 |
MMBTH10LT1 安森美 | 类似代替 | MMBTH10LT3G和MMBTH10LT1的区别 |
MMBTH10 安森美 | 类似代替 | MMBTH10LT3G和MMBTH10的区别 |