


















ON SEMICONDUCTOR MMBT918LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE
射频双极,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
欧时:
ON Semiconductor MMBT918LT1G , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
NPN 双极晶体管
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MMBT918LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.05 A, 15 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBT918LT1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE
Win Source:
TRANS SS VHF NPN 15V SOT23
DeviceMart:
TRANS SS VHF NPN 15V SOT23
频率 600 MHz
额定电压DC 15.0 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
输入电容 2pF Max
增益频宽积 600 MHz
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 11 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT918LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT918LT1 安森美 | 完全替代 | MMBT918LT1G和MMBT918LT1的区别 |
MPS918 安森美 | 类似代替 | MMBT918LT1G和MPS918的区别 |
MPS918G 安森美 | 类似代替 | MMBT918LT1G和MPS918G的区别 |