单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode
反向电压VrReverse Voltage| 70V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 1.1V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns 最大耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| FeAtures • monolithic DuAl Switching Diode 描述与应用| 特点 •单片双开关
得捷:
DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
贸泽:
Diodes - General Purpose, Power, Switching 70V 200mA
艾睿:
Diode Small Signal Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 70.0 V
额定电流 200 mA
电容 2.50 pF
正向电压 1.1 V
耗散功率 225 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流 0.5 A
正向电压Max 1.1V @100mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBD6100LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBD6100LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBD6100LT1和MMBD6100LT1G的区别 |
MMBD6100LT3 安森美 | 类似代替 | MMBD6100LT1和MMBD6100LT3的区别 |
MMBD6100LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBD6100LT1和MMBD6100LT3G的区别 |