MC100EP11DR2G

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MC100EP11DR2G概述

ON SEMICONDUCTOR  MC100EP11DR2G  芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出

时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:2 3 GHz 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


得捷:
IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8SOIC


立创商城:
MC100EP11DR2G


e络盟:
时钟分频器, 扇出缓冲器, 3 GHz, 3V-5.5V 电源, 2 输出, SOIC-8


艾睿:
Clock Fanout Buffer 2-OUT 1-IN 1:2 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Clock Fanout Buffer 4-OUT 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MC100EP11DR2G  Clock Divider, Fan-out Buffer, 3 GHz, 3V-5.5V supply, 2 Outputs, SOIC-8


Win Source:
Clock Fanout Buffer Distribution IC 3GHz 8-SOIC 0.154", 3.90mm Width


MC100EP11DR2G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 GHz

电源电压DC 3.00V min

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

供电电流 35.0 mA

电路数 1

针脚数 8

最大占空比 50 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC100EP11DR2G引脚图与封装图
MC100EP11DR2G引脚图
MC100EP11DR2G封装图
MC100EP11DR2G封装焊盘图
在线购买MC100EP11DR2G
型号: MC100EP11DR2G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MC100EP11DR2G  芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出
替代型号MC100EP11DR2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC100EP11DR2G

ON Semiconductor 安森美

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MC100EP11DR2GH

安森美

完全替代

MC100EP11DR2G和MC100EP11DR2GH的区别

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