MRF10120参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF10120概述

微波长脉冲功率型硅NPN晶体管120W （峰值）， 960-1215MHz Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor 120W peak, 960-1215MHz

RF NPN 55V 15A - 120W 底座安装 355C-02，1 型

得捷:
RF TRANS NPN 55V 355C-02

贸泽:
RF Bipolar Transistors

Verical:
Trans GP BJT NPN 55V 15A 3-Pin Case 355C-02

Win Source:
RF TRANS NPN 55V 355C-02 / RF Transistor NPN 55V 15A 120W Chassis Mount 355C-02, Style 1

MRF10120中文资料参数规格

技术参数

频率 1.215 GHz

耗散功率 380 W

击穿电压集电极-发射极 55 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 120 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 3

封装 355C-02

外形尺寸

封装 355C-02

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF10120

型号： MRF10120

制造商： M/A-Com

描述：微波长脉冲功率型硅NPN晶体管120W （峰值）， 960-1215MHz Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor 120W peak, 960-1215MHz

替代型号MRF10120