MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MPSA06-AP 双极性晶体管, NPN, 80V, TO-92
The is a 80V NPN silicon epitaxial medium power Bipolar Transistor for switching and amplifier applications. This plastic-encapsulate planar transistor is capable of 0.625W power dissipation and 0.5A collector current. As complementary type, the PNP transistor is MPSA56.
得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MPSA06-AP Micro Commercial Components 美微科 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA06-BP 美微科 | 完全替代 | MPSA06-AP和MPSA06-BP的区别 |
MPSA06RL1G 安森美 | 类似代替 | MPSA06-AP和MPSA06RL1G的区别 |
MPSA06RL1 安森美 | 类似代替 | MPSA06-AP和MPSA06RL1的区别 |