MMBTH10-4LT1

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MMBTH10-4LT1概述

甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor

RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25V VHF Mixer NPN


艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


MMBTH10-4LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 4.00 mA

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 120 @4mA, 10V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBTH10-4LT1
型号: MMBTH10-4LT1
描述:甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor
替代型号MMBTH10-4LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTH10-4LT1

ON Semiconductor 安森美

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MMBTH10-4LT1G

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完全替代

MMBTH10-4LT1和MMBTH10-4LT1G的区别

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