MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-363
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
欧时:
SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
立创商城:
MUN5333DW1T1G
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN5333DW1T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-363
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN, PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-88-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5333DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5333DW1T1 安森美 | 类似代替 | MUN5333DW1T1G和MUN5333DW1T1的区别 |
PUMD13@115 恩智浦 | 类似代替 | MUN5333DW1T1G和PUMD13@115的区别 |
PUMD13,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5333DW1T1G和PUMD13,115的区别 |