NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 NPN ，最大 1A，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 700 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 700 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 500 @100µA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT6429DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT6429DW1T1 安森美 | 完全替代 | MBT6429DW1T1G和MBT6429DW1T1的区别 |