MMBT200系列 45 V CE击穿 0.5 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~350 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA 描述与应用| PNP外延平面 PNP通用放大器 此装置是专为通用放大器应用在集电极电流300毫安而设计
频率 250 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -500 mA
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT200 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MSB1218A-RT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT200和MSB1218A-RT1G的区别 |
MMBT200-TP 美微科 | 功能相似 | MMBT200和MMBT200-TP的区别 |