双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
立创商城:
双 NPN 双极数字晶体管 BRT
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MUN5234DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5234DW1T1 安森美 | 完全替代 | MUN5234DW1T1G和MUN5234DW1T1的区别 |