MMBTH81_D87Z

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MMBTH81_D87Z中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTH81_D87Z
型号: MMBTH81_D87Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:射频RF双极晶体管 PNP RF Transistor
替代型号MMBTH81_D87Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTH81_D87Z

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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