MBRT40035R

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MBRT40035R概述

Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Three Tower

The is a silicon power Schottky Diode offers high surge capability. It has 35V repetitive peak reverse voltage and 25V RMS reverse voltage.

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REACH Compliance
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Reversed leads
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Electrically isolated base plate
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-55 to 150°C Operating temperature range
MBRT40035R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 750mV @200A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 3 kA

正向电压Max 750 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Three Tower

外形尺寸

封装 Three Tower

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBRT40035R
型号: MBRT40035R
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 400A 3Pin3+Tab Three Tower

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