ON SEMICONDUCTOR MBD54DWT1G.. 小信号肖特基二极管, 双隔离, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C
肖特基势垒,最大 900mA,
### 标准
带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。
欧时:
### 肖特基势垒二极管,最大 900mA,ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor
得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC88
立创商城:
MBD54DWT1G
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 150mW Dual Isolated
e络盟:
小信号肖特基二极管, 双隔离, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C
艾睿:
Rectifier Diode Schottky 0.2A 5ns 6-Pin SC-88 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MBD54DWT1G, Dual SMT Schottky Diode, Isolated, 30V 200mA, 5ns, 6-Pin SOT-363
富昌:
MBD54DWT1G Series 30 V 600 mA Dual Schottky Barrier Diode - SOT-363
Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MBD54DWT1G Small Signal Schottky Diode, Dual Isolated, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C
Win Source:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC88
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
电容 10.0 pF
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
正向电压 1 V
耗散功率 150 mW
反向恢复时间 5 ns
正向电流 200 mA
最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA
正向电压Max 400 mV
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
工作结温 125℃ Max
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MBD54DWT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBD54DWT1 安森美 | 类似代替 | MBD54DWT1G和MBD54DWT1的区别 |
BAT54DW-7-F 美台 | 功能相似 | MBD54DWT1G和BAT54DW-7-F的区别 |
BAT74S,115 恩智浦 | 功能相似 | MBD54DWT1G和BAT74S,115的区别 |