MPS5179G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS5179G概述

高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

RF NPN 12V 50mA 2GHz 200mW 通孔 TO-92-3

得捷:
RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Box

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Box

MPS5179G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MPS5179G

描述：高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

替代型号MPS5179G