MMBT918LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT918LT1概述

VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF TransistorNPN Silicon

Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

得捷:
TRANS SS VHF NPN 15V SOT23

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN

艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

Online Components:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT918LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 15.0 V

额定电流 50.0 mA

耗散功率 225 mW

输入电容 2pF Max

增益频宽积 600 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 11 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT918LT1

型号： MMBT918LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF TransistorNPN Silicon

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替代型号MMBT918LT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBT918LT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBT918LT1G 安森美	完全替代	MMBT918LT1和MMBT918LT1G的区别
MMBT918 飞兆/仙童	功能相似	MMBT918LT1和MMBT918的区别
CMPT918TR Central Semiconductor	功能相似	MMBT918LT1和CMPT918TR的区别