FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 25 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP High Voltage Amplifier This device is designed for high voltage driver applications 描述与应用| PNP高压放大器 该设备是专为高电压驱动器应用而设计。
得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3
欧时:
### 高电压 PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBTA92系列 300 V CE击穿 0.5 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
TME:
Transistor: NPN; bipolar; -300V; -500mA; 225mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA92 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 25 hFE
Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23
DeviceMart:
TRANSISTOR HIVOLT PNP AMP SOT-23
频率 50 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
额定功率 225 mW
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTA92 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA92_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | MMBTA92和MMBTA92_D87Z的区别 |
KST92MTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBTA92和KST92MTF的区别 |
MMBTA92LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBTA92和MMBTA92LT1G的区别 |