MAGX-001220-100L00

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MAGX-001220-100L00概述

氮化镓HEMT晶体管功率100W峰值, 1.2 - 2.0 GHz的 GaN HEMT Power Transistor 100W Peak, 1.2 - 2.0 GHz

RF Mosfet HEMT 50V 500mA 1.2GHz ~ 2GHz 14.8dB 100W


得捷:
TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 1.2-2.0GHz 50Volt 100W Pk Gain 15.1dB


MAGX-001220-100L00中文资料参数规格
技术参数

频率 1.2GHz ~ 2GHz

输出功率 100 W

增益 14.8 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic

外形尺寸

封装 Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: MAGX-001220-100L00
制造商: M/A-Com
描述:氮化镓HEMT晶体管功率100W峰值, 1.2 - 2.0 GHz的 GaN HEMT Power Transistor 100W Peak, 1.2 - 2.0 GHz

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