氮化镓HEMT晶体管功率100W峰值, 1.2 - 2.0 GHz的 GaN HEMT Power Transistor 100W Peak, 1.2 - 2.0 GHz
RF Mosfet HEMT 50V 500mA 1.2GHz ~ 2GHz 14.8dB 100W
得捷: TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ
贸泽: 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 1.2-2.0GHz 50Volt 100W Pk Gain 15.1dB
频率 1.2GHz ~ 2GHz
输出功率 100 W
增益 14.8 dB
测试电流 500 mA
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min -40 ℃
额定电压 65 V
封装 Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic
工作温度 -40℃ ~ 95℃
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册