氮化镓对SiC D模式晶体管技术共源配置 GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration
RF Mosfet HEMT 50V 100mA 1MHz 14dB 12W 14-DFN 3x6
得捷: FET RF 65V 1MHZ 14DFN
Verical: Trans JFET N-CH 2.5A GaN 14-Pin SMD Bulk
频率 1 MHz
额定电流 3 mA
输出功率 12 W
增益 14 dB
测试电流 100 mA
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min -40 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 VDFN-14
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册