MMBT2907AM3T5G

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MMBT2907AM3T5G概述

PNP通用晶体管 PNP General Purpose Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 265mW Surface Mount SOT-723


得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT723


立创商城:
MMBT2907AM3T5G


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 265 mW, -600 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-723 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AM3T5G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 200 MHz, 640 mW, -600 mA, 100 hFE


Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723


MMBT2907AM3T5G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 640 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 265 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 640 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MMBT2907AM3T5G
型号: MMBT2907AM3T5G
描述:PNP通用晶体管 PNP General Purpose Transistor

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