N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管
贸泽:
JFET 25V 10mA
艾睿:
Ensure your circuit doesn t go through large input voltage drops with ON Semiconductor&s;s MMBFJ310LT3G JFET transistor. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
IC; Transistor; JFET; N-Channel; 25V; SOT-23; Cut Tape
安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBFJ310LT3G JFET Transistor, -25 V, 24 mA, 60 mA, 25 V, SOT-23, JFET
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 -25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 5.00 pF
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
增益 12 dB
测试电流 10 mA
击穿电压 25 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBFJ310LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBFU310LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBFJ310LT3G和MMBFU310LT1G的区别 |
MMBFJ310LT1 安森美 | 类似代替 | MMBFJ310LT3G和MMBFJ310LT1的区别 |
MMBFJ310LT3 安森美 | 类似代替 | MMBFJ310LT3G和MMBFJ310LT3的区别 |